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学位授与年月日：2018.03.26

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
D1-0873_h1	pdf	6.7 MB	399	全文
D1-0873	pdf	161 KB	57	内容・審査結果の要旨

論文情報

title	低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究
title.alternative	Study in Enhancement-Mode GaN-HFETs for Low Loss and High Speed Switching
contributor.author	鈴木, 朝実良
subject	パワーエレクトロニクス
	スイッチング
	GaN
	ヘテロ接合
	電界効果トランジスタ
	エンハンスメントモード
	オン抵抗
	コンタクト抵抗
	キャリア濃度
	NiO
	微細構造ゲート
dateofgranted	2018-03-26
degreename	博士（工学）
grantor	京都工芸繊維大学
grantid	14303甲第873号
カテゴリ	学位授与年月日：2018.03.26

title	低損失・高速スイッチング素子に向けたエンハンスメントモードGaN-HFETの研究
title.alternative	Study in Enhancement-Mode GaN-HFETs for Low Loss and High Speed Switching
contributor.author	鈴木, 朝実良著者名の異表記形 SUZUKI, Asamira
subject	パワーエレクトロニクス
	スイッチング
	GaN
	ヘテロ接合
	電界効果トランジスタ
	エンハンスメントモード
	オン抵抗
	コンタクト抵抗
	キャリア濃度
	NiO
	微細構造ゲート
dateofgranted	2018-03-26
date.issued	2018-03-26
description.abstract	本論文では低損失・高速スイッチング動作を実現するうえでエンハンスメントモードGaN-HFETが有する課題を示し、低耐圧領域においても優位性を維持した低損失・高速スイッチングを実現するためにゲート長ならびに素子寸法の微細化によるゲート容量の低減とオン抵抗の低減、さらにはコンタクト抵抗の低減による更なるオン抵抗低減を実現する方法と手段について検討し、その結果を述べた。
degreename	博士（工学）
grantor	京都工芸繊維大学
grantid	14303甲第873号
identifier.uri	http://hdl.handle.net/10212/2468
language.iso639-2	jpn
rights.textversion	ETD
type.nii	Thesis or Dissertation
type	Thesis

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