KIT 学術成果コレクション

教育研究プロジェクト

教育研究推進事業（萌芽研究）

このアイテムのアクセス数:2,514件（2025-04-26 14:22 集計）

このアイテムへのリンクには次のURLをご利用ください:http://hdl.handle.net/10212/1912

閲覧可能ファイル

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数
00_レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発（全文）	pdf	1.92 MB	1,917
01_表紙_目次_はしがき	pdf	248 KB	848
02_（研究成果）ナノメートルサイズで制御された構造を基盤とする新規光デバイスの構築／堤　直人	pdf	1.5 MB	2,109
03_（研究成果）新奇有機光電子半導体材料：（チオフェン／フェニレン）コオリゴマー（Ⅱ)／堀田　収	pdf	439 KB	5,447
04_（研究成果）分子線エピタキシー法によるGaAsBi／GaAs 多重量子井戸構造の製作／吉本昌広	pdf	646 KB	17,289
05_研究論文等リスト	pdf	378 KB	2,046
06_裏表紙	pdf	190 KB	663

論文情報

title	レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発
contributor.author	堤, 直人
	堀田, 収
	吉本, 昌広
subject	レーザー誘起周期表面構造,キラル構造,円Bragg反射,フェムト秒レーザー誘起ナノ細線配線,銀イオンの還元,２光子吸収励起,（チオフェン／フェニレン）コオリゴマー
	マイクロリングレーザー,光閉じ込め,発光トランジスタ,外部量子効率,交流ゲート電圧印加法
	半導体半金属混晶,発光波長温度無依存,分子線エピタキシー,ビスマス,Ⅲ-Ⅴ族半導体
	ホトルミネセンス,レーザダイオード
	Laser induced periodic surface structure,Chiral structure,Circular Bragg reflection,Femto laser induced nanometer scale silver wire,Reduction of silver ion,Two photon excitation,thiophene/phenylene co-oligomers
	microring laser,optical confinement,Light-emitting field-effect transistor,external quantum efficiency,alternating-current gate voltage,semiconductor-semimetal alloy
	temperature-insensitive bandgap,temperature-insensitive wavelength laser,molecular beam epitaxy,bismuth,III-V semiconductor,Photoluminescence,laser diode
カテゴリ	教育研究推進事業（萌芽研究）

title	レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発
contributor.author	堤, 直人 >> 研究者総覧ページ
	堀田, 収 >> 研究者総覧ページ
	吉本, 昌広 >> 研究者総覧ページ
subject	レーザー誘起周期表面構造,キラル構造,円Bragg反射,フェムト秒レーザー誘起ナノ細線配線,銀イオンの還元,２光子吸収励起,（チオフェン／フェニレン）コオリゴマー
	マイクロリングレーザー,光閉じ込め,発光トランジスタ,外部量子効率,交流ゲート電圧印加法
	半導体半金属混晶,発光波長温度無依存,分子線エピタキシー,ビスマス,Ⅲ-Ⅴ族半導体
	ホトルミネセンス,レーザダイオード
	Laser induced periodic surface structure,Chiral structure,Circular Bragg reflection,Femto laser induced nanometer scale silver wire,Reduction of silver ion,Two photon excitation,thiophene/phenylene co-oligomers
	microring laser,optical confinement,Light-emitting field-effect transistor,external quantum efficiency,alternating-current gate voltage,semiconductor-semimetal alloy
	temperature-insensitive bandgap,temperature-insensitive wavelength laser,molecular beam epitaxy,bismuth,III-V semiconductor,Photoluminescence,laser diode
date.accessioned	2009-04-08T05:19:12Z
date.available	2009-04-08T05:19:12Z
date.issued	2009-03
description.abstract	１．ナノメートルサイズで制御された構造を基盤とする新規光デバイスの構築：キラル構造をもたないアモルファス材料に円偏光照射により高度なキラリティーをもつへリックス構造を誘起できた。２光子励起を用いることで材料内の任意の場所に銀ナノ細線配線を構築できた。２．新奇有機光電子半導体材料：（チオフェン/フェニレン）コオリゴマー（II）：TPCOは安定かつ、発光デバイスの素材として高いパフォーマンスをもつ有機半導体であることを示した。３．分子線エピタキシー法によるGaAsBi/GaAs多重量子井戸構造の製作：Bi原子は、III-V族半導体の成長の際にサーファクタントとして用いられており、GaAs1-xBix/GaAs MQW構造を、分子線エピタキシー法を用いて成長温度350℃から400℃の範囲でGaAs(001)基板上に製作できることを明確にした。GaAs0.891Bi0.109/ GaAs MQW構造からは、通信用波長帯1.3 μmにおけるPL発光を室温において観測した。
description.provenance	Submitted by 附属図書館 KIT-Repository (dspace-admin@jim.kit.ac.jp) on 2009-04-08T05:19:12Z No. of bitstreams: 1 00_レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発（全文）.pdf: 2011399 bytes, checksum: 11942296b9d634afbab638bdf0232b14 (MD5)
description.provenance	Made available in DSpace on 2009-04-08T05:19:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 00_レーザー誘起ナノ細線配線と革新的なナノ光電子デバイスの開発（全文）.pdf: 2011399 bytes, checksum: 11942296b9d634afbab638bdf0232b14 (MD5) Previous issue date: 2009-03
format.extent	2011399 bytes
format.mimetype	application/pdf
identifier.citation	平成２０年度教育研究推進事業成果報告書
identifier.uri	http://hdl.handle.net/10212/1912
language.iso639-2	ja
rights.textversion
type.nii	Research Paper
type	Article

閲覧可能ファイル

論文情報

論文詳細を表示